周茹莉
,
孔向阳
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00597
ZnO、Zn2SnO4均为直接带隙宽禁带氧化物半导体, 是优异的功能材料. 以ZnO、SnO2为原料, 通过共热蒸发法, 合成了ZnO/Zn2SnO4纳米电缆结构. 该纳米电缆结构为以ZnO为芯, Zn2SnO4 为鞘, 直径为50~100nm, 长度可达上百微米. 通过TEM分析手段, 发现该纳米电缆结构中, ZnO的生长方向为<0001>方向, ZnO芯与Zn2SnO4鞘之间形成晶格外延关系. 室温下光致发光谱结果显示, 该纳米电缆结构在紫外区域(380.58nm附近处)存在很强的带边发光, 而在可见光区域没有明显的发光带, 这一结果表明: Zn2SnO4鞘层的存在能有效抑制ZnO表面的缺陷发光. ZnO/Zn2SnO4纳米电缆结构可以抑制电子?空穴的复合, 在染料敏化太阳能电池等方面有一定的应用潜力.
关键词:
ZnO/Zn2SnO4
,
nanocable
,
synthesis
,
photoluminescence spectra
王志军
,
李盼来
,
杨志平
,
郭庆林
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2009.01069
采用固相法制备了LiCaBO3∶Dy3+发光材料. 材料的发射光谱为一多峰宽谱, 主峰分别为484、577和668nm; 监测577nm发射峰, 对应的激发光谱为一主峰位于331、368、397、433、462和478nm的宽谱. 研究了Dy3+浓度对材料发射光谱及发光强度的影响, 结果随Dy3+浓度的增大, 材料的黄、蓝发射峰强度比(Y/B)逐渐增大; 同时, 发光强度呈现先增大后减小的趋势, 最大值对应的Dy3+浓度为3.00mol%, 其浓度猝灭机理为电偶极电偶极相互作用. 引入Li+、Na+或K+可增强材料的发射强度. InGaN管芯激发下的LiCaBO3∶Dy3+材料呈现很好的白光发射, 色坐标为x=0.3001, y=0.3152.
关键词:
白光LED
,
LiCaBO3
,
Dy3+
,
luminescence characteristics
王志军
,
李盼来
,
杨志平
,
郭庆林
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00503
采用高温固相法合成了KBaPO4:Tb3+绿色发光荧光粉, 并研究了材料的发光性质. KBaPO4:Tb3+材料呈多峰发射, 发射峰位于437、490、545、586和622 nm, 分别对应Tb3+的5D3→7F4和5D4→7FJ =6, 5, 4, 3跃迁发射, 主峰为545 nm; 监测545 nm发射峰, 所得激发光谱由4f7-5d1的宽带吸收(200~330 nm)和4f-4f电子吸收(330~400 nm)组成, 主峰为380 nm. 研究了Tb3+掺杂浓度, 电荷补偿剂Li+、Na+、K+和Cl-, 及敏化剂Ce3+对KBaPO4:Tb3+材料发射强度的影响. 结果显示, 调节激活剂浓度、添加电荷补偿剂或敏化剂均可在很大程度上提高材料的发射强度. 上述结果表明KBaPO4: Tb3+材料是一种很好的近紫外光激发型高效绿色发光荧光粉.
关键词:
白光LED
,
KBaPO4,Tb3+
,
luminescent characteristics
